第57章 生长的晶体

  所以一个材料能不能当做晶片，这个是重要指標之一。当前使用的硅基材料迁移率的理论上限是不超过1000–1500 cm2/(v·s)。

  而二维mos?电晶体的迁移率上限只有400cm2/(v·s)，这也是当前没有太多人去深入研究这种材料的原因。

  但在製程方面，二维mos?的最大优势就显现了出来，其单层厚度仅约 0.65纳米，而目前最常用的硅基电晶体中最小单位的物理厚度却在5纳米以上。

  这还是后世在不断逼近摩尔定律的极限，持续推进电晶体微缩后的成果。

  而2010年的现在，即使最先进的实验室里的硅电晶体沟道厚度也在10nm以上，这就是数十倍的差距。

  当然最重要的是，二维mos?电晶体的製备不需要先进位程的光刻机的参与，仅仅90nm的光刻机就够了。

  “我准备试试，只需要一些硫和鉬就可以。”

  “我全力支持你，一会儿你找赵宇，让他带你去取材料。”包仲文大手一挥，表示自己的態度。

  他这么积极的主要原因还是希望在试验后，李观能留下来跟著他搞半导体，不要再回数院那个玄虚的地方了。殊不知，李观只是一个还没考上大学的高中生，就连沈建国都不能確定对方会跟著他去数院。

  “谢谢包教授。”

  说干就干，李观出了洁净区，跑去吃了个饭。不过他並不怎么饿，而且还不累，依然是精力满满。

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  “好强大的活跃状態，不知道如果每天跑三公里不吃饭不睡觉会不会饿死，或者猝死啊？有点违反能量定律了吧？”

  李观只是想想，也不敢真的尝试，毕竟命只有一条，作死就真的会死。

  “李观？”